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AMD news

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Midle End Level

Stradi

entradas: 342

00:35 13/12/2003

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- El Nuevo Diseño Brinda más del Doble de Desempeño que los Transistores Actuales y Ofrece Soluciones Completas Para Retos Máximos del Mañana -

SUNNYVALE, CALIFORNIA – Diciembre 2003- En la Reunión Internacional de Dispositivos de Electrón 2003 (IEDM; por sus siglas en ingles) de la IEEE, realizada en Washington, DC, AMD (NYSE: AMD) presentó detalles adicionales en torno a su revolucionario diseño de transistores de próxima generación que consta de Silicón en Insulador (SOI). Asimismo la empresa dio a conocer información acerca del éxito que ha sido la tecnología SOI en sus microprocesadores actuales.

“La nueva generación de transistores SOI incorporan de manera única varios niveles de las innovaciones más significantes de AMD en un solo diseño. Es un logro importante y es parte de una investigación crítica que permite a AMD seguir cumpliendo con las necesidades de nuestros clientes de baja energía y alto desempeño, tanto hoy como en el futuro”, informó Craig Sander, vicepresidente de Desarrollo de Proceso Tecnológico de AMD.

Hacia una Solución de 45 Nanómetros (nm) Completa

Se espera que el nuevo transistor de AMD ofrezca una solución confiable a la mayoría de los retos críticos que se presentarán a partir de la generación de tecnología de 45 nm (o “nodo”), en donde mil millones de nanómetros forman un metro.

“Cada vez que se reducen los transistores para una nueva generación tecnológica surgen nuevos retos. Uno de ellos es la disminución de fuga eléctrica cuando esté apagado el transistor, sin embargo es igualmente importante maximizar el flujo de electricidad cuando el transistor esté prendido”, dijo Ming-Ren Li, miembro de AMD. “Mientras investigaciones por parte de otras empresas atacan estos problemas de forma individual, AMD enfrenta el problema de manera integrada”.

Actualmente, el Mapa Tecnológico Internacional para Semiconductores pronostica que las puertas del transistor, la parte primaria de los transistores que prenden y apagan su flujo de electricidad, necesitan ser de 20 nm como máximo para lograr proyecciones de desempeño en la generación de los 45 nm. Hoy, las puertas de transistor más pequeñas en transistores de alto desempeño de AMD son de 50 nm.

“Reducir agresivamente el tamaño de las puertas del transistor es fundamental para el desempeño del mismo, siempre en aumento, tendencia que no se detendrá”, añadió Lin. “Para mantener la innovación a este paso es imperativo que manufactureros líderes en la industria incorporen estructuras de transistor innovadoras tal como lo ha hecho AMD”.

Diseño Multi-Puerta Único

El nuevo diseño de transistor de AMD usa tres puertas en lugar de una como los transistores de hoy e incorpora innovaciones que permiten una continua escalabilidad de puerta de transistor bajando más allá de 20 nm, al tiempo que provee mayor velocidad y menos fuga de electricidad. Además, el transistor de AMD no depende del uso del supuesto material dieléctrico de puerta “high-k”, el cual puede acarrear efectos negativos al desempeño del transistor.

“Nos hemos acercado de manera estructural utilizando materiales convencionales de nuevas maneras para brindar una solución de 20 nm de dimensión de puerta comprobada. Esta es la clase de innovación que se requiere para conducir los avances tecnológicos más allá en la próxima década”, señaló Lin.

AMD incluyó las siguientes tecnologías de investigación para su nuevo diseño multi-puerta:

· SOI Completamente Vaciado (FDSOI): La próxima generación de tecnología SOI que incrementa el desempeño y los beneficios de ahorro de energía de la tecnología SOI actual.

· Puertas de metal: Puertas hechas de níquel-silicio en lugar de Poli silicón como hoy en día, que busca mejorar el flujo eléctrico mientras se reduce el derrame no deseado.

· Canal forzado localmente: Una manera revolucionaría de combinar materiales avanzados en una geometría que “fuerza” los átomos dentro del recorrido eléctrico del transistor ayudando el flujo de electricidad.

El método de AMD dio como fruto transistores que han demostrado desempeño récord y una significante reducción de derrame de corriente. Para más detalles técnicos de la investigación multi-puertas que AMD presentó en la conferencia visite http://www.amd.com/IEDM03_triple

Extendiendo los Beneficios de SOI

La investigación de AMD de nueva generación de SOI se construye sobre los éxitos actuales de la compañía usando SOI en un ambiente de manufactura de alto volumen en AMD Fab 30. AMD detalló acerca de esto también en IEDM, brindando información de las tecnologías SOI usadas en los procesadores AMD64 para incrementar desempeño del producto mientras se reducen requerimientos de energía.

“SOI es un contribuyente clave del procesador AMD Opteron™ brindando desempeño líder en 32 y 64 bits, reduciendo el consumo de energía”, dijo Sander. “Menos energía es igual a menos calor. Para los trabajadores de TI una reducción calórica puede ser un factor principal en la reducción del costo total de propiedad y ayuda a garantizar la confiabilidad.”

AMD también dio a conocer información de su liderazgo introduciendo materiales dieléctricos para mejor desempeño de circuito conocidos como “low-k”. Estos materiales low-k son usados para insular las líneas interconectables de cobre que conducen señales eléctricas a través del chip y reducen la energía que se necesita para propagar estas señales. AMD fue líder en introducir materiales low-k en un ambiente manufacturero de gran volumen empezando con su proceso de 130 nm en AMD Fab 30.

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default

entradas: 48

18:22 20/12/2003

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Hardcore Extreme Level

geezeth

entradas: 5632

18:24 20/12/2003

3

Gracias Stradi!

Hardcore Extreme Level

Meko360

entradas: 3484

23:58 20/12/2003

4

Muy interesante. Se venían guardando un as tecnológico bajo la manga los muchachos de AMD.